Short Notes

Сильнополевое заполнение глубоких уровней в гетероструктурных полевых транзисторах с модулированным легированием (AlGaAs/GaAs)

S. V. Maltsev, V. Ya. Prinz

Institute of Semiconductor Physics of USSR Academy of Sciences, Siberian Branch, Novosibirsk

Received: 21.04.1992
Accepted: 01.06.1992