Growth of GaAs-AlAs quantum clusters on faceted GaAs surface oriented not aling to (100) by the method of molecular-beam epitaxy

Zh. I. Alferov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov

Ioffe Institute, St. Petersburg

Received: 07.04.1992
Accepted: 08.04.1992