Effect of double implantation of silicon and fluorine atoms on semi-insulating gallium-arsenide electrophysical parameters

Yu. A. Bumai, V. E. Malakhovskaya, A. G. Ul'yashin, N. V. Shlopak, T. T. Samoiluk, T. D. Nikitina, K. S. Gorupa, E. V. Avtyushkov

Belarus Polytechnic Institute

Received: 27.12.1991
Accepted: 02.03.1992