A. V. Kovalchuk, V. E. Zemlyakov, S. I. Kartsev, D. S. Shpakov, S. Yu. Shapoval, “Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 2026, Volume 96, Issue 2,Pages <nobr>336

Solid-State Electronics

Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме

A. V. Kovalchuk^a, V. E. Zemlyakov^b, S. I. Kartsev^b, D. S. Shpakov^b, S. Yu. Shapoval^a

^a Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials RAS
^b National Research University of Electronic Technology

Received: 08.05.2025
Revised: 07.08.2025
Accepted: 14.08.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62293.109-25