Solid-State Electronics

Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов

A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, R. A. Salii, F. Yu. Soldatenkov, D. A. Malevskii, V. M. Andreev

Ioffe Institute, St. Petersburg

Received: 06.05.2025
Revised: 30.09.2025
Accepted: 06.10.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62292.107-25