Dislocation hydrogenation in silicon at a high molecular hydrogen pressure

I. T. Belash, V. V. Kveder

Институт физики твердого тела АН СССР, Черноголовка, Московская область

UDC: 539.89+548.4+537.311

Received: 25.07.1985
Revised: 08.10.1985

Bibliographic databases:

•